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思诺思网上药店网站入口【網址— ctmyao.com—】DRAM 成本低，容量大，但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进，读取延迟（Latency）也大，且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件，具有低成本优势，一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势，有几乎最高的能效比，容量密度略小，在精度增强后可以保证较高精度，一般适用于云计算等大算力场景。版权声明： 免责声明:本站所有信息均来自互联网搜集,与产品相关信息的真实性准确性均由发布单位及个人负责,拒绝任何人以任何形式在本站发表与中华人民共和国法律相抵触的言论,请大家仔细辨认！并不代表本站观点,本站对此不承担任何相关法律责任！【網址— ctmyao.com—】思诺思网上药店网站入口【網址— ctmyao.com—】
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